HZB Albrecht新AEL：无ALD钙钛矿/硅串联叠层太阳能电池在PERX/TOPCon类硅底电池上实现29.91%的效率

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       通常，单片集成钙钛矿/硅串联叠层太阳能电池的钙钛矿顶电池工艺包括缓慢而昂贵的原子层沉积(ALD)，以生长氧化锡(SnO x )缓冲层，防止在随后的透明顶部电极沉积过程中受到溅射损坏。鉴于此，2024年8月26日 HZB  Steve Albrecht 于ACS Energy Letters刊发无ALD钙钛矿/硅串联叠层太阳能电池在PERX/TOPCon类硅底电池上实现29.91%的效率的研究成果，成功地用工业兼容的浴铜灵(BCP)热蒸发取代了ALD-SnO x 缓冲层。通过应用氧化铟锌(IZO)的软溅射沉积，避免了用有机BCP取代ALD-SnO x 时溅射损坏的风险增加。除了技术优势外，这还导致开路电压增加20 mV、电荷提取率相似、由于寄生吸收减少而导致电流密度更高，这已通过绝对和瞬态光致发光、电流密度-电压、光谱响应度和瞬态表面光电压测量得到证实。将BCP/IZO顶部接触集成到串联叠层太阳能电池中，使用Q CELLS的Q.A ………………………………