SK海力士官宣321层NAND闪存开始量产

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开发出业界首款321层 1TB TLC NAND闪存，将于明年上半年开始供应 采用“3-Plug”工艺技术突破堆叠极限，与上一代相比，性能和生产效率都有所提升 “加强AI领域存储竞争实力，跃升为‘全方位面向AI的存储器供应商’” 韩国首尔，2024年11月21日 – SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）21日宣布，开始量产全球最高的321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND闪存。 * NAND闪存芯片根据每个单元(Cell)可以存储的信息量（比特,bit），分为SLC(Single level Cell,1位)、MLC（Muti Level Cell,2位）、TLC（Triple Level Cell,3位）、QLC（Quadruple Level Cell,4位）、PLC（Penta Level Cell,5位）等不同规格。单元信息存储容量越大，意味着单位面积可以储存的数据越多。 SK海力士表示：“公司从2023年6月量产当前最高的上一代238层NAND闪存产品，并供应于市场，此次又率先推出 ………………………………