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▲ 第一作者：Matthew P. Hautzinger 通讯作者：Matthew C. Beard 通讯单位：美国国家可再生能源实验室, 科罗拉多大学博尔德分校可再生与可持续能源研究所 DOI：10.1038/s41586-024-07560-4 （点击文末「阅读原文」直达链接）     研究背景 在室温下且无需磁场的条件下，半导体结构中的自旋积累是实现更广泛光电功能的关键。由于半导体界面间的自旋注入存在固有的低效率， 目前的研究受到巨大的限制。     研究问题 本文展示了通过手性卤化物钙钛矿/III–V界面的自旋注入，实现了在标准半导体III–V（Al x Ga 1−x ) 0.5 In 0.5 P多量子阱发光二极管中的自旋积累。通过发射圆偏振光来检测多量子阱中的自旋积累，其偏振度高达15±4%。手性钙钛矿/III–V界面通过X射线光电子能谱、截面扫描开尔文探针力显微镜和截面透射电子显微镜成像进行了表征，获得了一个干净 ………………………………