研究前沿：北京大学彭海琳/深圳理工大学丁峰团队-六方氮化硼hBN | Nature Materials

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在下一代大规模集成电子学领域中，六方氮化硼Hexagonal boron nitride (hBN)已经成为介质集成方面极具前景的保护层。尽管许多研究致力于生长单晶六方氮化硼hBN薄膜，但晶圆片级超宽六方氮化硼hBN，仍未实现。 今日，北京大学Yani Wang, Xin Gao, Liming Zheng，彭海琳Hailin Peng等，深圳理工大学Chao Zhao（一作）, 丁峰Feng Ding等，在Nature Materials上发文，报道了在 Cu0.8Ni0.2(111)/蓝宝石晶圆上，实现了4英寸超平flat单晶六方氮化硼hBN的外延生长。 六方氮化硼hBN和Cu0.8Ni0.2(111)之间强耦合，抑制了褶皱的形成，并确保了平行排列六方氮化硼hBN畴的无缝拼接，从而在晶圆尺度上，获得了超平单晶六方氮化硼hBN薄膜。 利用超平六方氮化硼hBN作为保护层，将晶圆级超薄高介电常数κ电介质集成到具有无损伤界面的二维2D材料上。所获得的六方氮化硼hBN/HfO2复合电介质，表现出了超 ………………………………