群友的问题 | 光耦的控制电路输出不对

主要观点总结

本文主要讨论了一个光耦控制输出的电路问题，其中涉及到了电路设计中的坑以及解决方案。电路本意是PWR_EN输出低电平光耦导通，使Q9和Q10三极管打开，VOUT输出。但实测中发现焊接Q10三极管会导致电路问题，原因是Q10没有基极限流电阻，导致电流过大烧毁三极管。提供了两种解决方案：更换PMOS或更改PCB并增加基极限流电阻。

关键观点总结

关键观点1: 电路设计问题

电路中存在Q10三极管没有基极限流电阻的问题，导致焊接Q10时电流过大烧毁三极管。

关键观点2: 解决方案一：更换PMOS

可以将电路中的PNP型三极管更换为PMOS，但需注意所选PMOS的Vgs绝对值需要满足＞±12V，以避免Vgs过压导致PMOS烧毁。

关键观点3: 解决方案二：更改PCB并增加基极限流电阻

更为推荐的解决方案是更改电路板设计，为三极管Q10增加基极限流电阻，以控制电流大小，避免烧毁三极管。

关键观点4: 建议与推荐

作者建议无论采用哪种方案，都建议增加合适的栅极电阻，以防Vgs过压损坏。同时提供了其他相关硬件工程师学习资料推荐。

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▼关注公众号：24c01硬件电子▼ 关注回复“ 加群 ” ，加入硬件电子学习交流群。 有时候硬件的坑不知不觉就踩进去了，这个我相信大家也深有体会。 这是今天群里的一个问题，分享给大家。希望大家从群友的身上吸取教训，不要重复踩坑。在此感谢Oi哥的问题分享以及群友的解决思路。 问题描述： 电路图如下，是一个光耦控制输出的电路，电路的本意是PWR_EN输出低电平光耦导通，然后三极管Q9打开，三极管Q10打开，VOUT输出。但是实测下来，不焊接Q10没问题，焊接Q10就有问题。 电路设计问题： Q10没有基极限流电阻 ，导致三极管Q9导通后，Q10的基极电流过大导致三极管Q10和三极管Q9烧毁，电流路径如下图： 解决方案： 1.不更改PCB，将PNP型三极管更换为PMOS，但是需要注意所选PMOS的Vgs绝对值需要满足＞±12V，以防Vgs过压导致PMOS烧毁，例如更改为下图 ………………………………