主要观点总结
文章介绍了下一代维系摩尔定律的关键技术——高数值孔径EUV光刻技术。该技术旨在缩小设备的几何尺寸以继续推进计算技术的发展。文章详细描述了EUV光刻技术的历史发展、工作原理、面临的挑战以及解决方案。科学家们正在开发高数值孔径EUV系统,预计将于2025年投入商用。此外,文章还提到了其他相关技术和行业合作以推动该技术的实现。
关键观点总结
关键观点1: 下一代维系摩尔定律的技术是高数值孔径EUV光刻。
此技术涉及对系统内部光学系统的重大改造,以提高分辨率,使芯片制造商可以制造越来越精细的电路。
关键观点2: EUV光刻技术是过去两代尖端芯片背后的驱动技术,也是智能手机、平板电脑、笔记本电脑和服务器中不可或缺的部分。
现在,科学家们正在改进EUV光刻技术,以缩小设备的几何尺寸,从而继续推进计算技术的发展。
关键观点3: 高数值孔径EUV光刻技术面临诸多挑战,如缩倍特征、反射角问题、成像场大小等。
科学家通过研发新的解决方案来克服这些挑战,如改变缩倍特征、调整反射角、重新设计掩模台和晶圆台等。
关键观点4: 第一个高数值孔径EUV系统ASML EXE:5000将于2024年初安装在新实验室中,该实验室将助力客户、掩模制造商、光刻胶供应商等开发实现高数值孔径EUV所需的基础设施。
科学家正在推动高数值孔径EUV技术的实现,因为这是维系摩尔定律的关键组成部分。
关键观点5: 实现0.55数值孔径并不是最终目标,阿斯麦、蔡司和整个半导体生态将在此基础上继续向更好、更快、更新颖的技术迈进。
未来,该技术将继续推动计算技术的快速发展。
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