研究透视：北京大学刘开辉团队 | 二维材料-外延生长 | Nature Nanotechnology

主要观点总结

文章介绍了二维范德华（vdW）材料的特殊物理性质以及外延生长策略的重要性。北京大学等研究者发表的综述文章集中在两个方向：二维vDW材料平面内单晶单层的生长以及平面外同质结构的制备。文章讨论了单畴的成核控制、多畴的取向控制、缺陷水平和晶体质量的测量以及生长均匀多层膜和转角同质结构的技术路线，总结了当前策略以指导未来研究。

关键观点总结

关键观点1: 二维vdW材料的特殊物理性质及外延生长策略的重要性

二维材料的外延生长对于合成大面积、高质量的材料具有重要意义，推动了材料合成的研究进展，特别是在先进集成电路领域。

关键观点2: 二维vDW材料平面内单晶单层的生长

研究者通过单畴的成核控制和多畴的取向控制，实现了较大尺度的单晶单层的生长，并讨论了缺陷水平和晶体质量的测量。

关键观点3: 二维vDW材料平面外同质结构的制备

文章概述了生长均匀多层膜和转角同质结构的技术路线，总结了当前策略，以指导未来按需制造二维vDW材料，为工业应用的后续器件制造提供指导。

关键观点4: 北京大学等的研究贡献

北京大学的研究团队在Nature Nanotechnology上发表了综述文章，系统总结了二维材料外延生长的策略，并指出未来研究方向。

文章预览

二维two-dimensional (2D)范德华 van der Waals (vdW)材料的特殊物理性质，已得以广泛研究，推动了材料合成的研究进展。 外延生长是一种重要的合成策略，用以生产兼容先进集成电路的大面积、高质量2D薄膜。典型的2D单晶（例如石墨烯、过渡金属二硫属元素化物和六方氮化硼）已经实现了在晶片规模上的外延生长。为了给新兴二维材料的外延生长，提供战略指导，需要进行系统的总结。 今日，北京大学Can Liu, Tianyao Liu, Zhibin Zhang，刘开辉Kaihui Liu等，在Nature Nanotechnology上发表综述文章，主要集中在两大方向上的二维vDW材料外延方法：平面内单晶单层的生长，以及平面外同质结构的制备。 首先讨论了单畴的成核控制和多畴的取向控制，以获得较大尺度的单晶单层。还分析了在各种外延生长技术中，典型2D vDW材料的缺陷水平和晶体质量的测量。 然后，概述了 ………………………………