刘忠范、高鹏、李晋闽、魏宇杰合作J. Am. Chem. Soc.工作：石墨烯\/蓝宝石基底上无应力AlN的快速生长

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【引言】 第三代半导体材料（AlN、GaN等）在发光二极管、激光二极管、紫外辐射源、高频功率电子学等领域具有广阔的应用前景。制备第三代半导体材料的常用方法是金属有机化学气相沉积（MOCVD）法，蓝宝石、硅、碳化硅等常被用作生长基底。但是，在材料外延过程中，基底与第三代半导体之间存在较大的晶格失配和热失配，这会导致材料中应力的积累以及缺陷密度的升高。除此之外，在材料岛状拼接生长过程中，在拼接界面处常常会出现大量的缺陷结构。上述两个过程所产生的缺陷结构会严重降低材料的质量，进而会影响器件的发光效率。 石墨烯具有诸多优异的物理化学性质，例如：超高的热导率、负膨胀系数及表面无悬挂键，等等。因此，石墨烯缓冲层在第三 ………………………………