德克萨斯大学奥斯汀分校Phys. Rev. Lett.: 转角双重双层石墨烯中的涌现对称性和谷Chern绝缘体

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2024年12月9日，Phys. Rev. Lett.在线发表了德克萨斯大学奥斯汀分校 Emanuel Tutuc 课题组的研究论文，题目为《 Emergent Symmetry and Valley Chern Insulator in Twisted Double-Bilayer Graphene 》，论文的第一作者为 Yimeng Wang。 二维（2D）材料的莫尔条纹为探索具有平坦色散电子能带中的关联电子态提供了一个高度可调的平台。著名的例子包括魔角为1.1°的转角双层石墨烯（TBG）、 转角双重双层石墨烯 （TDBG） 、六方氮化硼（hBN）上的ABC三层石墨烯、转角三层石墨烯，以及 转角双层MoTe 2 中的 分数Chern绝缘体和hBN上的五层菱方石墨烯，所有这些都表现出超导或关联的绝缘体相。 理论计算表明，出现了一种新的涌现对称性，它将两个原本强烈交织的谷解耦，并且对于这两个谷涌现对称扇区中的每一个，许多莫尔体系的电子能带在拓扑上都是非平庸的。例如， 在横向电场下，hBN ………………………………