石墨烯再登Nature！可重复合成关键，又一首次！

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化学气相沉积（CVD）法在铜上合成石墨烯自首次展示以来已被广泛采用。然而，CVD生长的石墨烯在基础科学和应用中的广泛使用因可重复性和质量问题受到阻碍。 哥伦比亚大学、蒙特利尔大学等的研究人员确定了微量氧是决定低压CVD法生长轨迹和石墨烯质量的关键因素。无氧化学气相沉积（OF-CVD）合成快速且高度可重复，其动力学可以用一个紧凑模型描述，而添加微量氧则会抑制成核并导致生长变慢或不完全。氧影响石墨烯的质量，表现为表面污染、拉曼D峰的出现以及电导率的下降。在无氧条件下生长的外延石墨烯无污染且没有可检测到的D峰。经过干法转移和氮化硼封装后，它显示出接近剥离石墨烯的室温电输运行为。 采用无氧化学气相沉积法制作的100多个相同的石墨烯样品，图源：哥伦比亚大学 石墨烯栅极器件展示了良好的整数量子霍尔效 ………………………………