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台懋半导体 | MOS 管结构,原理及基本应用(四)

TMC台懋半导体  · 公众号  · 半导体  · 2024-11-14 11:45
    

主要观点总结

文章主要介绍了MOS管的相关知识,包括判定三个极的方法、MOS管的开关条件、重要参数以及识别管脚等内容。

关键观点总结

关键观点1: 判定三个极的方法

通过描述G、S、D三个极的特征和标识方法,帮助读者识别MOS管的三个极。

关键观点2: MOS管的开关条件

详细介绍了N沟道和P沟道MOS管的导通和截止条件,以及MOS管作为开关在电路中的连接方法。

关键观点3: MOS管的重要参数

列举了MOS管的多个重要参数,包括封装、类型、耐压Vds、导通阻抗Rds、栅极阈值电压Vgs(th)等,并解释了它们的作用。

关键观点4: 识别MOS管的方法

介绍了使用万用表识别MOS管类型(N沟道或P沟道)的方法,以及其他识别MOS管管脚的方式。

关键观点5: MOS管的反向导通特性

详细解释了MOS管的反向导通特性,包括反向导通的条件、规律以及等效电路模型。


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