研究前沿：二维半导体WSe2-电荷转移接触 | Nature Nanotechnology

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二维半导体（如过渡金属二硫属元素化物）已经展示了开发高度可调量子器件的巨大前景。要实现这一潜力，需要在量子特性相关的低温和低密度时，依然表现良好的低电阻电接触。 今日，美国 哥伦比亚大学（Columbia University）Jordan Pack，Cory R. Dean等，在Nature Nanotechnology上发文，提出了一种新的二维半导体器件结构，主要利用电荷转移层，在接触区实现了大空穴掺杂，并将该技术应用于测量高纯度单层WSe2的磁输运性质。 实验测量了80,000cm2V–1s–1创纪录高空穴迁移率和低至1.6×10E11cm-2接入通道载流子密度，比以前可实现的低一个数量级。在低密度时，实现了高迁移率器件的透明接触，从而输运测量了相关驱动的量子相，包括在预期形成维格纳晶体的密度和温度范围内，观察了低温金属-绝缘体转变，以及在较大磁场时，观察了分数量子霍尔效应。 在 ………………………………