【综述】基于III-V族半导体的光探测技术

文章预览

近期， 在国际著名期刊《 Advanced Functional Materials 》上，来自杭州师范大学的高凌锋副教授团队发表了题为 “Recent Advances of Photodetection Technology Based on Main Group III-V Semiconductors” 的综述论文，第一作者为 2023 届硕士研究生艾家乐，通讯作者为 杭州师范大学高凌锋、乌普萨拉大学 Hans Ågren 、苏州科技大学张健，杭州师范大学为第一完成单位。 背景介绍： Figure 1. (a) Overview of the synthetic strategies of III-V main group semiconductors and their applications in photodetection under various wavelengths. (b) Summarized typical III-V main group semiconductors and their detection regions. 三五主族材料，作为半导体领域的璀璨明星，近年来在光电探测、电子器件及能源转换等领域展现出巨大潜力。高灵敏度、宽带宽和快速响应已成为现代光电探测器的关键特性。近年来，新型材料如钙钛矿、黑磷、 II-VI 族 ………………………………