研究前沿：南开大学吴金雄团队-二硫化钼MoS2晶体管 | Nature Electronics

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将原子级薄层沉积的电介质与二维two-dimensional (2D)半导体集成，可用于制造具有亚1nm电容等效厚度的2D晶体管。然而，惰性表面上原子级层沉积的非均匀成核，以及随后的高能金属蒸发，可以使原子级薄的电介质不绝缘。 今日，南开大学材料科学与工程学院张磊Lei Zhang，吴金雄Jinxiong Wu等，在Nature Electronics上发文，报道了一种氧化铋辅助的化学气相沉积方法，用以合成具有原子级平坦表面的单晶金属纳米片。通过无聚合物的机压成型法，在基底上垂直生长了纳米片，并很容易地转移到目标基底上。 研究发现，钯金属纳米片提供了极好的表面属性，以用于厚度小于3nm平面氧化铝 aluminium oxide (Al2O3) 和氧化铪 hafnium oxide (HfO2) 电介质的原子层沉积。然后，再层压到少层二硫化钼molybdenum disulfide (MoS2) 上，作为栅极叠层，并具有0.9nm电容等效厚度和约3.9μfcm-2 ………………………………