Adv. Mater：高K——层状深紫外光学晶体Zn2BO3Br2

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摘要： 发展具有原子平面和范德瓦尔斯（vdW）界面的介质对于提升二维（2D）设备的性能至关重要。然而，与传统的三维（3D）介质相比，vdW介质通常具有较小的带隙，限制了它们的选择。本研究引入了 AZBX（AZn2BO3X2，其中A=K或Rb，X=Cl或Br），一种非线性深紫外光学晶体，作为适用于2D电子设备的准vdW层状介质。 以KZBB为例，展示了其出色的介电性能，包括 宽带隙、高介电常数（高𝜿）和平滑界面 。当作为KZBB/MoS2场效应晶体管（FET）的顶栅介质使用时，该设备表现出色，具有陡峭的 亚阈值摆动（≈73 mV dec−1）、高开关比（≈10^7）、可忽略的迟滞（0–8 mV）以及稳定的低漏电流（≈10^-7 Acm−2）直至击穿。 这项工作扩展了2D材料和介质的领域，并突出了AZBX作为高性能介质的强大潜力。 实验方法： 晶体生长：    - 使用水热法合成AZBX（AZn2BO3X2，其中A=K ………………………………