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利用范德华集成的面内铁电体降低单层MoS 2 晶体管的回滞效应 题目： In-plane ferroelectrics enabling reduced hysteresis in monolayer MoS 2 transistors 作者： Mingxuan Yuan, Binbin Zhang, Jiliang Cai, Jiaqi Zhang, Yue Lu, Shuo Qiao, Kecheng Cao, Hao Deng, Qingqing Ji DOI： 10.1002/cnl2.148 链接： https://doi.org/10.1002/cnl2.148 第一作者： 袁铭轩 通讯作者： 纪清清，曹克诚，邓昊 单位： 上海科技大学 ✦ 研究背景 ✦ 单层MoS 2 作为一种重要的二维半导体，在后摩尔时代的背景下，已日益成为科学研究和工业应用领域的焦点材料。然而，该材料的原子级厚度使得材料性质对晶格中的固有原子缺陷（例如空位、杂原子和晶界等）非常敏感。这些缺陷与水/氧吸附等外部因素相结合，导致单层MoS 2 晶体管的输出和转移特性呈现出显著的回滞效应，分别在偏置和栅极电压扫描中表现出不同的前向和后向迹线。
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