GaN 功率器件：如何改进架构并推广应用？

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芝能智芯出品 随着功率器件需求在不同应用场景中的快速增长，单一材料的解决方案已经无法满足电压和电流范围的全面要求。 基于此，复合材料与创新架构逐渐成为改善器件性能的关键手段，氮化镓 （GaN） 凭借高电子迁移率和开关速度的优势，在低功耗和部分高压应用中展现出强大的竞争力。 通过与硅 （Si） 和碳化硅 （SiC） 等材料的结合，GaN 器件架构的改进正在推动电力电子领域的革命性进展，我们一起探讨基于 GaN 的新型架构在提升击穿电压、降低功耗和适应高功率密度等方面的创新进展及其在多样化应用场景中的潜力。 Part 1 GaN 与其他材料的集成应用 ●  GaN 与硅的协同优化 氮化镓高电子迁移率晶体管 （HEMT） 具有低导通电阻和高开关速度的特点，特别适合于低电压和高频率应用。然而，在高压场景下，单一 GaN 器件性能不足，因此 ………………………………