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知产财经获悉，近日，英诺赛科公司发布公告称，公司及公司全资附属公司英诺赛科（苏州）半导体有限公司（统称原告）已向中国江苏省苏州市中级人民法院起诉英飞凌科技（中国）有限公司（被告一）、英飞凌科技（无锡）有限公司（被告二）及苏州芯沃科电子科技有限公司（被告三），就202311774650.7号专利提交起诉状《(2024)苏05民初1430号》及就202211387983.X号专利提交起诉状《(2024)苏05民初1431号》。 英诺苏州为202311774650.7号及202211387983.X号专利的专利权人，公司已就涉案专利获得英诺苏州许可。涉案专利分别涉及一种氮化镓(GaN)功率器件及其制备方法，以及一种氮化物基半导体器件及其制造方法。 据了解，英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑成立，其前身是西门子集团的半导体部门。英诺赛科成立于2015年，是一家从事第三代半导体硅基氮
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