现代场效应晶体管（FET）的发明先驱

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虽然第一个工作的场效应晶体管（ FET）直到1945年才出现，但这个想法早在近20年前，即朱利叶斯·埃德加·利利恩菲尔德 （ Julius Edgar Lilienfeld ） 的一项专利中就已显现。 尽管利利恩菲尔德从未制造出实物原型，但他在推动半导体技术未来突破方面发挥了决定性作用。他1925年申请的专利被广泛认为是世界上第一个场效应晶体管（几乎所有电子设备的关键组件）的理论概念。 Julius Edgar Lilienfeld  Lilienfeld 1882年出生于奥匈帝国的伦贝格（今乌克兰利沃夫），他在柏林的弗里德里希-威廉大学（现为洪堡大学）学习物理学，师从量子理论的关键人物马克斯·普朗克。1905年，Lilienfeld获得博士学位，这一年可以说是物理学最具变革性的一年之一——阿尔伯特·爱因斯坦发表了一系列论文，从根本上改变了人们对空间、时间、质量和能量的看法。 获得博士学位 ………………………………