中国人民大学刘畅团队Nat. Commun.: AlOx覆盖的MnBi2Te4中的量子化反常霍尔效应

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2025年2月18日，Nat. Commun.在线发表了中国人民大学刘畅副教授 课题组的研究论文，题目为《 Towards the quantized anomalous Hall effect in AlO x -capped MnBi 2 Te 4 》，论文的第一作者为 Yongqian Wang和Bohan Fu。 层状反铁磁体 MnBi 2 Te 4 中的量子反常霍尔效应展现了磁性与拓扑之间的丰富相互作用，这为低功耗电子器件和拓扑反铁磁自旋电子学带来了巨大希望。 近年来，MnBi 2 Te 4 作为唯一一种表现出反铁磁性量子反常霍尔效应的材料引起了广泛关注。 然而，该领域面临着重大挑战，因为零磁场下的量子化效应严重依赖于高质量器件的制备。 在此研究中，作者介绍了一种简单而有效的方法来减轻标准制备工艺对MnBi 2 Te 4 的不利影响，即 在制备之前在其表面沉积一层AlO x 层 。 对50多个MnBi 2 Te 4 样品进行的光学对比度和磁输运测量表明， AlO x 可以有效地保持器件的原始状 ………………………………