20纳秒超快编程、10万次循环寿命，复旦团队开发出超快闪存芯片的规模集成工艺

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当今的数字化时代，随着 AI 和大数据应用的快速发展，业界对高性能存储芯片的需求日益增长。 现阶段，传统的硅基闪存芯片主导着非易失存储市场，然而当前非易失闪存的编程速度普遍较慢，大都在百微秒级，其速度限制了 AI 等应用的表现。 近日，复旦大学微电子学院 周鹏 、芯片与系统前沿技术研究院 刘春森 团队开发出一种可扩展的 规模化集成工艺用于制造二维超快闪存 ，有望解决当前闪存技术的 速度瓶颈 问题，并加速超快闪存技术进入产业应用进程。 目前，这项研究发现已经以“ A scalable integration process for ultrafast two-dimensional flash memory ”（超快二维闪存的可扩展集成工艺）为题发表在 Nature Electronics 上。 （来源： Nature Electronics ） 闪存最初于 1967 年在贝尔实验室发明，由于拥有简单的存储机制以及低成本、高密度集成等的优势，闪 ………………………………