三星HBM销售额飙升50% 英伟达成逆袭关键？

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‍ 集微网·爱集微APP，各大主流应用商店均可下载 三星电子在开发对人工智能（AI）市场至关重要的存储芯片方面遭遇一系列挫折后，开始在缩小与竞争对手SK海力士的差距方面取得进展。 知情人士透露，三星已获得英伟达对其高带宽存储器（HBM）芯片HBM3期待已久的批准，并预计下一代HBM3E将在2~4个月内获得批准。三星在7月31日的第二季度财报会议上表示，第五代8层HBM3E产品目前正接受客户评估，计划今年第三季度实现量产。 这些进步是在数月的跌跌撞撞之后取得的，其中包括开发失误的问题，这让SK海力士在该快速增长的领域一跃成为领先者，该公司的HBM3E已搭载于英伟达H200芯片。今年4月份，SK海力士宣布携手台积电进行HBM4的研发与推进，且该公司第七代HBM4E力争提前一年将在2026年量产。 策略失误 三星面临HBM技术落后及创新放缓 有评论称，作 ………………………………