SKSC075N005-S7：高效能与高可靠性的完美结合

文章预览

SiC材料相比于传统的Si材料，具备诸多优越性能，使其在功率电子器件中愈发受到青睐。時科推出的750V SiC功率MOSFET——SKSC075N005-S7，以其卓越的性能和广泛应用前景成为众多高效能和高可靠性要求设备的理想选择。 SiC材料的优势 高温工作能力 01 SiC 材料的热导率远高于Si材料，使得其能够在高温环境下稳定工作。 这一特性在极端工作条件下尤为重要，显著提高了器件的可靠性和使用寿命。 高阻断电压 02 SiC材料具有较高的禁带宽度，赋予其高击穿场强，使SiC MOSFET能够承受更高的电压。这为高电压应用提供了更安全、更可靠的选择。 低损耗 03 SiC MOSFET相比Si MOSFET，导通电阻和开关损耗大幅降低。低导通电阻和低开关损耗不仅提高了效率，还减少了能量损耗，节省了运行成本。 快速开关速度 04 SiC MOSFET具备更高的开关速度，使其能够在更高频率下工作 ………………………………