主要观点总结
本文介绍了西湖大学工学院孔玮研究员团队与中山大学李华山团队合作在二维半导体材料领域取得的最新进展。他们提出了一种新策略，实现了以二硫化钼为代表的二维半导体单晶晶圆在商用绝缘体衬底上的外延生长。通过精确解析生长界面的原子构型，发现了界面处的周期性三氧化钼（MoO3）分子层，该层通过范德华外延方式生长在单个Al原子终端的α-Al2O3衬底上。这一发现揭示了CVD生长过程中界面原子重构的独特机制，为理解TMDCs生长中的界面相互作用提供了直接实验证据。
关键观点总结
关键观点1: 研究背景
二维材料，尤其是过渡金属二硫族化合物（TMDCs）因独特的电学、光学及机械性能而受到广泛关注。其中，二硫化钼（MoS₂）在电子学、光电子学及自旋电子学等领域有巨大应用潜力。然而，在晶圆尺度上合成单晶单层MoS₂仍面临挑战。
关键观点2: 研究亮点
1. 通过iDPC-STEM技术直接观察到单层单晶MoS₂与α-Al₂O₃之间的界面原子结构；2. 发现界面由一层周期性的分子MoO₃中间层组成，通过范德华外延生长在单Al终端的α-Al₂O₃表面；3. MoO₃中间层增强了MoS₂与衬底的界面相互作用，提高了MoS₂的生长方向性。
关键观点3: 研究意义
该研究发现填补了TMDCs与α-Al₂O₃衬底界面原子级表征的空白，为理解TMDCs生长提供了实验证据。此外，该研究为提高材料质量和工艺重复性提供了重要途径，并为二维材料工程提供了更加灵活和可控的策略。
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