微电子所GaN器件研究取得重要进展!

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汽车芯片设计资料包 近期，微电子所高频高压中心GaN研究团队在刘新宇研究员带领下,在高频高效率器件、限幅器、电源驱动电路等研究方向进行了创新性研究和探索,取得了重要进展。 在高频高效率器件方向,团队采用LP-SiN结合ALD超薄栅介质技术制备的0.15μm 栅长AlGaN/GaN毫米波 MIS-HEMT功率器件,解决了现有HEMT器件肖特基漏电大、效率低的问题,在连续波测试条件中,30GHz的功率附加效率(PAE)为49.7% 功率密度为5.90W/mm。 在限幅器方向,团队采用全GaN SBD-MMIC技术的限幅器, 利用全GaN肖特基势垒二极管来实现的单片微波集成电路(全GaN SBD-MMIC)技术,研制的限幅器显示出高在连续波模式(CW)下,入射功率超过50W脉冲模式下为125 W,插入损耗(IL)小于1dB@8GHz,具备39纳秒的创纪录的快速恢复时间,拓展了宽禁带材料在GaN SBD的限幅器领域的应用前景。 在电源驱动电路方向,团队开发 ………………………………