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PbI 2 和FAI之间的快速反应使高质量FAPbI 3 薄膜的制造变得复杂。传统方法(例如使用非挥发性小分子添加剂来减缓反应)通常会导致埋底的界面空隙和分子扩散,从而损害器件的运行稳定性。鉴于此,2024年12月17日 苏州大学 许桂英 & 徐小平 & 李耀文 于Angew刊发通过分子“推进器”程序调节钙钛矿薄膜生长动力学,实现高效稳定的钙钛矿太阳能电池的研究成果,引入了一种分子“推进器”——一种具有三个羰基和一个C––I⁺键的高价碘(III)化合物——它具有配位和解离能力,能够对钙钛矿薄膜生长动力学进行程序调节。最初,三个羰基与PbI 2 配位以减缓FAI和PbI 2 之间的反应,从而防止δ相形成。随着温度升高,C––I⁺键解离,促进钙钛矿生长,解离产物碘苯将促进溶剂挥发,从而避免埋底界面空隙。另一种产物是具有八个孤对电子的卡宾化合物,
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