全球首个第六代HBM！4nm、性能大爆发

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全球首个第六代HBM！三星完成HBM4内存逻辑芯片设计：4nm工艺、性能大爆发 快科技 1 月 5 日消息，据韩国朝鲜日报报导，三星 DS 部门存储业务部最近完成了 HBM4 内存的逻辑芯片设计。Foundry 业务部方面也已经根据该设计，采用 4nm 试产。待完成逻辑芯片最终性能验证后，三星将提供 HBM4 样品验证。 逻辑芯片即 Logic die（又名 Base die），对 HBM 堆叠发挥大脑作用，负责控制上方多层 DRAM 芯片。 报导引用韩国市场人士说法，运行时发热是 HBM 的最大敌人，而在堆栈整体中逻辑芯片更是发热大户，采先进制程有助改善 HBM4 能效与性能表现。 除自家 4nm 制造逻辑芯片外，HBM4 还导入 10nm 制程生产 DRAM。 HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽存储器，主要应用于高性能计算（HPC）、人工智能（AI）和图形处理（GPU）等领域。 HBM 的优点在于打破了内存带宽及功耗瓶颈。 ………………………………