英飞凌推出全球首创12英寸GaN晶圆技术

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点击参与： 一揽子半导体专业会议，苏州举办！MEMS\柔性\压印\显示器件\分析测试\三代半\光电…不容错过，附参展企业名录 英飞凌日前表示，公司已能够在12英寸（300mm）晶圆上生产GaN芯片，该技术为世界首创，希望满足高能耗人工智能（AI）数据中心和电动汽车中使用的功率半导体快速增长的需求。 英飞凌CEO Jochen Hanebeck表示，到本十年末，这项技术市场将达到数十亿美元的规模。 英飞凌电源与传感器系统总裁Adam White表示，首批样品将于2025年第四季度向客户提供。 该公司表示，使用更大尺寸的GaN晶圆生产芯片将更加高效，12英寸可以容纳的GaN芯片数量是8英寸（直径200mm）晶圆的2.3倍。目前，所有尖端处理器芯片都是在12英寸晶圆上制造的，电源芯片行业主要使用8英寸晶圆。 GaN是芯片制造中硅的替代品，GaN芯片因其效率、速度、重量轻以及在高 ………………………………