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引言 在近年来，二维材料在半导体领域引起了广泛关注，尤其是过渡金属二硫族化物（TMDs）因其优异的电子特性和高度可调的带隙，成为高性能电子器件的理想候选材料。然而，尽管这些材料在理论上具有极高的载流子迁移率，实际应用中如何实现高迁移率的器件仍然是一个挑战。尤其是在低温和低载流子密度下，常见的接触问题限制了这些材料的量子效应研究。 为了解决这一难题， 上海交通大学Tingxin Li 发表了个人见解，介绍了一种新的窗口接触方法，能够在低温下实现高质量的欧姆接触，成功地在n型高迁移率的MoS 2 晶体管中探测到分数量子霍尔效应。通过将这种技术与低熔点半金属（如铋）结合使用，本文提出的接触方式显著改善了接触电阻，并扩展了对低载流子密度下量子输运行为的研究，为未来的低温纳米电子学应用提供了新的技术路
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