铠侠北上市新NAND闪存工厂大楼竣工

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8月1日，存储芯片厂商铠侠(Kioxia)宣布，其位于日本岩手县北上市工厂Fab2(K2)已于7月完工。 据悉，K2是日本岩手县北上市的第二家NAND闪存制造工厂。铠侠表示，随着需求复苏，该公司将在密切关注NAND闪存市场趋势的同时逐步进行资本投资。铠侠计划于2025年秋季在K2开始运营。 铠侠表示，虽然新建的NAND Flash工厂要到2025年才投产，但是铠侠在旁边一起建造的行政大楼已经做好准备，部分行政及工程部门将于2024年11月开始入驻办公，以监督Fab 2生产设施的运作。根据2024年2月批准的计划，这次Fab 2的部分投资得到了日本政府的资金补贴。 今年年初，铠侠和西数宣布，双方位于四日市和北上市的合资制造工厂已获得政府补贴，金额高达1500亿日元，其中包括生产最新一代3D NAND的工厂和下一代先进节点制程的工厂。而这也是铠侠与西部数据合资工厂第二次 ………………………………