全球最薄硅功率半导体晶圆问世

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本文由半导体产业纵横（ID： I CVI E WS）编译自英飞凌 该晶圆直径为 300mm，厚度 20μm 仅为头发丝的四分之一。 英飞凌是首家掌握20μm超薄功率半导体晶圆处理和加工技术的公司； 通过降低晶圆厚度将基板电阻减半，进而将功率损耗减少15%以上； 新技术可用于各种应用，包括英飞凌的AI赋能路线图； 超薄晶圆技术已获认可并向客户发布。 继宣布推出全球 300mm氮化硅（GaN）电力半导体晶圆并在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）电力半导体晶圆厂之后，英飞凌科技股份公司次在半导体制造技术领域取得新的里程碑。 英飞凌在处理和加工最薄的硅发电晶圆方面取得了突破性进展，这种织物直径为300㎜，厚度为20μm。 头发丝的厚度，是目前最先进的40-60μm织物厚度的一半。   来源： 英飞凌 英飞凌科技创始人Jochen Hanebeck表示：“此次全球最薄 ………………………………