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点击蓝字 关注我们 随着新能源技术的快速发展,对大功率半导体器件的需求日益增加。特别是在可再生能源领域,需要能够承载巨大电流的功率器件。然而,由于生产成本、技术难度以及市场需求等因素的限制,单一的大功率半导体器件往往难以满足这些应用的需求。因此,大功率IGBT和SiC
MOSFET的并联设计成为了一种有效的解决方案。 本文将介绍并联设计的关键要点,并推荐 安森美(onsemi) 的几款相应产品。 功率器件为什么需要并联设计? 在光伏发电和风力发电的大功率场景中,功率器件需要承载极大的电流。但功率半导体厂商通常不生产额定电流较大的器件,原因是大尺寸芯片的生产良率低,市场需求不足,以及大电流芯片的封装尺寸较大,还容易引发封装翘曲度增加的问题。行业内常用的方法是,并联多个较小额定电流的器件,这样不仅可
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