光刻胶材料及制备

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光刻胶是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X 射线等光源的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。主要应用领域包括：半导体领域的集成电路和分立器件、平板显示、LED、以及倒扣封装、磁头及精密传感器等产品的制作过程。 最早时期光刻胶是应用在印刷工业领域，到 20 世纪 20 年代才被逐渐用在印刷电路板领域，20 世纪 50 年代开始用于半导体工业领域。20 世纪 50 年代末，Eastman Kodak和 Shipley 公司分别设计出适合半导体工业需要的正胶和负胶。 光刻胶是利用曝光区和非曝光区的溶解速率差来实现图像的转移。具体从流程上来解释，是由于光刻胶具有光化学敏感性，可利用其进行光化学反应，将光刻胶涂覆半导体、导体和绝缘体上，经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用蚀刻剂进行蚀刻就可将所需要的微细 ………………………………