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文章链接： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.202407382 摘要 在这项工作中，通过理论和实验研究探索了二维半金属PtSe 2 作为二维材料场效应晶体管（FET）源/漏（S/D）接触材料的潜力。密度泛函理论（DFT）计算表明，半金属PtSe 2 能够分别向MoS 2 和WSe 2 注入电子和空穴，这表明PtSe 2 接触材料适用于n型和p型金属氧化物半导体FET（n-/p-MOSFET）。确实，实验上制造的片层级MoS 2 n-MOSFETs和WSe 2 p-MOSFETs显示出与传统Ti/Au接触相比，使用半金属PtSe 2 接触材料能够显著降低接触电阻。为了展示其在大面积电子学中的应用潜力，利用化学气相沉积法生长的MoS 2 和PtSe 2 薄膜制造了具有半金属PtSe 2 接触材料的MoS 2 n-MOSFETs。这些器件表现出卓越的性能指标，包括高的导通态电流（约10 -7 A/µm）和大的导通/关断比（>10 7 ）。此外，通过使用这些高性能的
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