NSR | 基于非线性离子传输的超级电容器忆阻器：架起电容与忆阻的桥梁

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海归学者发起的公益学术平台 分享信息，整合资源 交流学术，偶尔风月 1971年，加州大学伯克利分校蔡少棠教授首次提出忆阻器概念，作为电阻器、电感器和电容器之外的第四种基本电路元件，具备记忆功能。2008年，惠普成功制造了TiO 2 基忆阻器，但固态器件模拟化学突触存在困难。2021年，法国Bocquet团队预测二维纳米通道具备离子记忆功能，并在2023年构筑了基于受限聚电解质-离子相互作用的纳流体离子忆阻器。超级电容器具有与流体忆阻器类似的三明治结构。因此，通过在超级电容器中设计纳米离子通道，有望实现类似忆阻器的记忆功能。 中山大学 阎兴斌 教授团队利用金属有机框架ZIF-7的孔道内非线性离子传输，构建了新型超级电容器忆阻器。在水系赝电容器中，OH − 阴离子在不同电压区间的富集和释放导致了离子导电性的滞后效应，实现 ………………………………