2024, Nature Electronics——插层MoS₂与WS₂：解决LED高电流密度下的效率挑战

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文章链接： https://www.nature.com/articles/s41928-024-01264-3 亮点： 1. 插层材料的应用 ：研究通过在MoS₂和WS₂中插层氧等离子体，成功抑制了激子-激子湮灭，在高激子生成速率下保持LED的高效率。 2. 光激发与电注入性能的提升 ：实现了在光激发和电注入条件下均能维持高效率，展现出该材料在实际应用中的潜力。 3. 激子性质的优化 ：通过插层方法降低了激子波尔半径和扩散系数，改善了激子的运输和分离性能，从而提高了LED的性能。             摘要 基于二维材料的发光二极管（LED）的能力受到效率下滑的限制，这种现象在高电流密度下由激子-激子湮灭引起。介电或应变工程可以用来降低单层过渡金属二硫化物中激子-激子湮灭的速率，但在没有效率下滑的情况下实现二维LED的电致发光仍然具有挑战性。本文描述了一种基于插层过渡金属二硫化物的 ………………………………