2024,Nature ELectronics——替代掺杂与厚度双管齐下！高效二维p型场效应晶体管诞生

文章预览

文章链接： https://www.nature.com/articles/s41928-024-01265-2#Sec7 亮点： 1. 替代掺杂的应用 ：通过钒、铌和钽的替代掺杂，在二维二硒化钼和二硒化钨中实现了简并p型掺杂，显著降低了接触电阻。 2. 厚度控制与静电优化 ：研究采用逐层减薄方法，在通道区域保持薄层，以保持良好的静电控制，同时在接触区域采用厚掺杂层，以优化器件性能。 3. 量子限制效应的应用 ：揭示了量子限制效应对薄层材料中掺杂效应的抑制，为二维晶体管设计提供了重要参考。             摘要 在硅场效应晶体管（FETs）中，通过在源极和漏极区域下方的通道中掺入简并态掺杂，可以通过减少接触电阻来构建高性能的n型和p型器件。相比之下，二维半导体主要依赖于金属功函数工程。这种方法在n型二维FET中取得了进展，因为费米能级钉扎效应发生在导带附近，但在p型FET中仍面 ………………………………