【MEMS器件】半导体激光器是如何将量子力学原理与半导体材料特性完美融合的？

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一、材料革命 半导体激光器的故事，得从挑材料说起。科学家们发现，砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）这些III-V族半导体材料，简直是天生的"激光体质"。它们的能带结构像量身定做似的，电子在导带和价带之间跃迁的效率高到离谱，凭借其独特的能带结构与载流子迁移特性，成为构建激光器的理想介质。 希望常见面的话，点击上方即刻关注，设为星标！ 拿砷化镓来说吧，它的禁带宽度1.42eV，完美契合红外波段激光产生需求。一通电，电子"嗖"地就从价带蹦到导带，几乎不带刹车的，复合效率直接飙到理论极限的80%以上。而磷化铟更绝，通过应变量子阱结构，精准拿捏了1.3μm和1.55μm这两个通信黄金波段，成了光纤通信的核心光源。 二、从电注入到量子跃迁 半导体激光器的激励方式历经三代技术革新，展现出人类对量子操控的深刻理解。最初的电注 ………………………………