成果 | 叶堉课题组与合作者揭示奇数层MnBi2Te4中新奇的交换偏置现象及起源

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近日，北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、纳光电子前沿科学中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室叶堉课题组与合作者结合磁光测量实验和理论模型计算，在奇数层MnBi 2 Te 4 中发现了仅需通过设计磁场扫描路径即可控制其大小和方向的交换偏置现象，并提出缺陷辅助磁畴翻转模型。以上研究不仅阐明MnBi 2 Te 4 中交换偏置现象的演化规律及其物理起源，同时为基于调控磁畴结构的性质来实现高度可调的交换偏置效应提供了实验和理论基础。该研究成果以“缺陷辅助磁畴成核诱导MnBi 2 Te 4 中新奇的交换偏置现象”（Defect-Assisted Domain Nucleation Drives Unique Exchange Bias Phenomena in MnBi 2 Te 4 ）为题于2024年10月24日发表在《物理评论X》（Physical Review X）。 交换偏置（EB）现象自1956年发现以来，因其在超高密度磁存储及各类新奇自旋电子器件中 ………………………………