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文章链接： https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.4c02586 摘要 实现稳健的电接触对将单层二维半导体（如半导体过渡金属二硫族化合物，s-TMDs）在电子学中的应用潜力变为现实至关重要。尽管近期取得了突破性进展，金属与s-TMDs接触的实验与理论理解之间仍存在差距。本研究探索了与单层MoSe 2 接触的铋半金属， 采用了一个将实验不确定性降至最低的平台 ；我们结合了接触前端和接触末端的测量，测量了诸如比电阻(ρc)和转移长度(Lt)等关键参数。我们发现，由于电荷转移的影响，MoSe 2 在接触区域下的电阻率增加，这可以通过自洽方法进行建模。相反，基于第一性原理的层间电荷转移率计算与测得的ρc值不一致，这凸显了新的理论方法的必要性。 研究背景和主要内容 半导体过渡金属二硫属化物 (s-TMD) 已成为电子和光电子领
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