国科大杭州高等研究院Adv. Sci.：具有非本征响应的超灵敏宽谱MoS2光电探测器

主要观点总结

本文报道了一种基于环绕同质结MoS2的光电探测器，通过N2等离子体注入实现高性能的非本征响应。该探测器在可见光和短波红外波段具有超高的光响应率和比探测率，并展示了在成像和波导集成方面的潜力。本文总结了实验方法和结果，并展望了未来在高性能光子芯片和多功能成像器件方面的应用。

关键观点总结

关键观点1: 环绕同质结MoS2光电探测器的制备和性能

通过N2等离子体注入实现高质量MoS2材料的非本征响应，制备出环绕同质结MoS2光电探测器。该探测器在638 nm光照下具有超高的光响应率和比探测率，并且在V GS =-27 V时具有高达7个数量级的光开/关比。

关键观点2: MoS2材料在可见光和短波红外波段的响应

通过非本征响应，MoS2材料的响应波长从可见光扩展到短波红外波段。在1550 nm光照下，该探测器具有34 A W -1的光响应率和5.92×10 10 Jones的比探测率。

关键观点3: MoS2光电探测器在成像和波导集成方面的应用

该MoS2光电探测器成功应用于可见光和短波红外波段的成像，并与波导集成，展示了其在高性能光子芯片和多功能成像器件方面的潜力。

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