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国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业! 不拘中国、 放眼世界 ! 关注 世界半导体论坛 ↓↓↓ 据首尔经济日报报道,三星将于 2024 年第 4 季度至 2025 年第 1 季度期间,安装首台来自 ASML 的 High-NA EUV 光刻机,并预估 2025 年年中投入使用。 报道称三星将在其华城园区内安装首台 ASML Twinscan EXE:5000 High-NA 光刻机,主要用于研发目的,开发用于逻辑和 DRAM 的下一代制造技术。 三星计划围绕高 High-NA EUV 技术开发一个强大的生态系统:除了收购高 NA EUV 光刻设备外,三星还与日本 Lasertec 公司合作开发专门用于 High-NA 光掩膜的检测设备。 据悉,ASML目前只生产了8台Twinscan EXE:5000,其中英特尔购买了第一台,并且订购了多台。因此,有人猜测三星可能已经获得ASML第8台Twinscan EXE:5000。 值得注意的是,High-NA EUV设备的安装要求很复杂,因为它处理的
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