芯片互连技术的转变：从铜基体系到新型金属化的路径

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芝能智芯出品 随着半导体制造技术迈入极小的纳米节点，互连技术正面临前所未有的挑战，在接近1nm （10Å） 节点的制程中，传统的铜基互连面临着功率消耗和信号延迟问题，导致设计和材料的转型变得迫在眉睫。 为了解决这些问题，行业正在探索替代金属如钌 （Ru） 和钼 （Mo） 等材料，以优化电阻、降低功耗并提高芯片的性能和可靠性。 我们一起讨论和分析互连技术的最新进展，包括新材料的应用、技术的挑战和发展方向，变革对未来芯片制造的深远影响。 Part 1 互连技术的现状与挑战 ●  互连技术的关键问题 随着半导体制程的不断缩小，互连结构逐渐成为影响芯片性能和功耗的主要瓶颈。 在10nm以下的节点中，铜基互连的电阻和RC延迟已经达到了临界点，无法满足未来芯片对于高速传输和低功耗的需求。 具体来说，铜作为导电材料，在小 ………………………………