【授权】长电科技“腔体式封装结构及封装方法”专利获授权；智芯微“一种负压产生电路及直流电源、电子设备...

主要观点总结

本文主要报道了长电科技、矽睿科技、和其光电、智芯微以及清华大学电子系杨华中团队在专利授权和研究成果方面的新进展。其中，长电科技获得腔体式封装结构及封装方法专利授权，矽睿科技获得磁传感器专利，和其光电获得用于光纤传感器封装的高精密多维调节对位系统及方法专利授权，智芯微则公布了负压产生电路及直流电源、电子设备专利。此外，清华大学电子系杨华中团队揭示了存内计算混淆防御架构的共性安全漏洞，相关研究被第31届计算机与通信安全会议接收。

关键观点总结

关键观点1: 长电科技获得腔体式封装结构及封装方法专利授权。

该专利涉及一种腔体式封装结构，包括热沉、金属柱、金属隔层板和上层芯片等，可解决腔体式封装结构需要进一步高密度、集成化排布设计的需求。

关键观点2: 矽睿科技获得磁传感器专利授权。

该磁传感器包括衬底、多个第一TMR组件、软磁结构及信号通讯结构，能够对X‑Y平面内的磁场起到屏蔽作用，从而避免对Z轴磁场的检测产生跨轴干扰。

关键观点3: 和其光电获得用于光纤传感器封装的高精密多维调节对位系统及方法专利授权。

该系统和方法可以解决现有半导体晶片与光纤耦合存在的问题，如晶片易划伤、镀膜面易翻转等。

关键观点4: 智芯微公布负压产生电路及直流电源、电子设备专利。

该电路包括耦合电感、电容、二极管和储能电容等，能够实现负压供电，硬件成本较低，可靠性较高。

关键观点5: 清华大学电子系杨华中团队揭示存内计算混淆防御架构的共性安全漏洞。

团队系统地研究了现有存内计算混淆防御架构，从机密性、完整性和可用性三个角度分析了其机制，并提出了统一的分析模型。研究揭示了现有架构的共性漏洞，为未来存内计算安全性设计提供了新的思路。

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