面上项目(59万):SOI基嵌入式InAs量子点激光器的制备与集成

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导读 近日， 中国科学院物理研究所的研究团队， 成功完成了面上项目（59万）：SOI基嵌入式InAs量子点激光器的制备与集成。 随着摩尔定律逐渐逼近其物理极限，将微电子和光电子结合起来的硅基大规模光电子集成已成为业界的普遍共识，有望给信息技术带来突破性进展。CMOS可兼容的硅基激光光源是硅基光电子集成的最大难题。在硅基、锗基上生长直接带隙III-V族材料被认为是解决该难题最具前景的方法之一。申请人作为主要贡献人在世界上首次实现了锗基、硅基III-V族InAs/GaAs量子点激光器的室温连续激射。然而目前硅、锗和III-V族光电器件的主流技术都基于硅光工艺不兼容的特殊衬底制备条件下，不利于硅光集成。申请人回国后，利用所在团队特殊设计的IV族和III-V族MBE联合系统，通过巧妙设计实现了在普通Si（001）和SOI衬底上的III-V族量子点激光 ………………………………