半导体行业（一百六十六）——加热工艺（七）

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氧化速率同时也与掺杂物类型及浓度有关。重掺杂硅的氧化速率比低掺杂硅快。氧化过程中，硅中的硼原子倾向于被吸到二氧化硅内部造成硅与二氧化硅界面硅侧产生硼浓度的匮乏。N型掺杂物如磷、砷和锑有相反的效应。 氧化速率也与添加的气体有关，例如一般在栅氧化工艺中为了抑制移动离子添加HCI。HCI的存在使氧化速率提高10％左右。 干氧氧化工艺 干氧氧化的速率比湿氧氧化低，但是氧化薄膜的质量比湿氧氧化的高。所以薄的氧化层如屏蔽氧化层、垫底氧化层，特别是栅氧化层的生长一般采用干氧氧化工艺。下图所示为干氧氧化系统示意图。 氧化系统中通常有两种氮气源，一种有较高纯度，应用于氧化反应中；另一种纯度较低（费用也较低），用于净化反应室 ………………………………