Small Methods：首次在常压，80°C下刻蚀MFI晶体成功获得可控中空结构并用于制作低介电常数薄膜

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1.  文章概述 中空结构的沸石在催化和气体分离等领域表现出优异的性能，引起了人们的广泛关注。当前，使用碱性溶液对沸石母体进行刻蚀，是获得中空结构的一种有效手段。以 MFI 型沸石分子筛为例，通常使用四丙基氢氧化铵（ TPAOH ）等对其进行刻蚀。但这种碱刻蚀的方法，普遍需要在高温（如 170 o C ）、高压的不锈钢反应釜中进行，能源消耗大且存在安全风险，不利于规模化应用。 南昌工程学院 彭勇 教授课题组和浙江大学 王正宝 教授联合报道了一种温和条件下的刻蚀策略，在 80 o C 、常压的温和条件下即可对 MFI 沸石晶体进行选择性刻蚀，获得空心尺寸可控的中空 MFI 晶体，并提出了该中空结构形成的保护 - 溶解机理。 以该中空晶体为晶种，使用无模板剂二次生长法，制备得到了具有空腔结构的开孔 MFI 薄膜。该多级孔结构的薄膜表现出 ………………………………