基于碳化硅基铌酸锂异质集成平台的低损耗声表面波滤波器单片集成：实现相对带宽3.7%-12.4%的大范围可调

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来源：上海微系统所，集成电路材料全国重点实验室，异质集成XOI课题组 1 工作简介 近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所异质集成 XOI 课题组，基于自主研制的高性能 X-cut LiNbO 3 /SiO 2 /SiC 异质集成衬底平台，利用压电衬底面内各向异性的带宽调控技术，实现了谐振器机电耦合系数（即滤波器带宽）的大范围灵活可调、滤波器边带陡峭度的针对性调整，最终进行了 Sub 4GHz 频段的声表面波滤波器单片集成。相关研究工作以 “High-steepness and Low-loss SAW Filters with Fractional Bandwidth From 3.7% to 12.4% on a Monolithic X-cut LiNbO 3 /SiO 2 /SiC Substrate” 为题发表于国际微波与射频领域权威期刊 IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques (IEEE TMTT) 。论文共同第一作者 为上海微系统所的博士研究生房晓丽 和吴进波，论文通讯作者为上海微系统所张师斌研究员和欧欣研究 ………………………………