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预计2026年投产,SK海力士携手台积电开发HBM4

全球半导体观察  · 公众号  ·  · 2024-04-19 12:25

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点击蓝字关注我们双方就HBM4研发和下一代封装技术合作签署谅解备忘录通过采用台积电的先进制程工艺,提升HBM4产品性能“以构建IC设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方合作的方式,突破面向AI应用的存储器性能极限”4月19日,SK海力士宣布,公司就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术,将与台积电公司密切合作,双方近期签署了谅解备忘录(MOU)。公司计划与台积电合作开发预计在2026年投产的HBM4,即第六代HBM产品。SK海力士表示:公司作为AI应用的存储器领域的领先者,与全球顶级逻辑代工企业台积电携手合作,将会继续引领HBM技术创新。通过以构建IC设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方技术合作的方式,公司将实现存储器产品性能的新突破。两家公司将首先致力于针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片(Base Die)进行性能改 ………………………………

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