她，中国90后年轻学者，一作兼通讯，最新成果登上Nature Electronics！

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研究背景 随着电子技术的迅猛发展，基于二维（ 2D ）过渡金属二硫化物（ TMDs ）的电子器件因其独特的性能和广泛的应用前景而引起了科学家的高度关注。二维 TMDs 具有优异的电学、光学和机械特性，如高迁移率、可调带隙和优良的柔韧性，使其在新型电子器件中表现出巨大的潜力。然而，二维 TMDs 在实际应用中的发展面临着一系列挑战，特别是在材料质量、界面工程和器件性能方面。 二维 TMDs 的关键在于它们具有层状结构，能够在单层或少层的形式下表现出显著的电学性能。尽管这些材料具有许多优良特性，但其在电子器件中的应用却受限于几个关键问题。这些问题包括高密度的点缺陷，这些缺陷对材料的电学性质和器件性能产生了显著影响。此外，二维 TMDs 中存在的缺陷会导致电荷散射，降低迁移率，从而限制了器件的整体性能。 为了克服 ………………………………